石墨電極、石墨支柱等石墨件。在單晶爐中，除了采用高純石墨制作加熱器外，還采用高純石墨制作石墨電極、石墨支柱、石墨保溫罩、石墨保溫蓋、石墨籽晶夾、石墨接渣盤(pán)、石墨托等，如圖所示。采用直拉法拉制錯(cuò)單晶的原理、設(shè)備（采用單坩媧拉制時(shí)）和操作過(guò)程均與上述硅單晶的拉制基本上一樣，其不同是拉制緒單晶時(shí)可用石墨坩塌，而拉制硅單晶時(shí)須在石墨托上加裝石英坩竭，因?yàn)樵诟邷叵鹿枧c石墨起反應(yīng)。

石墨保溫筒。在區(qū)域熔煉中，常采用石墨保溫筒來(lái)降低位錯(cuò)的密度。石墨筒被卡在下反線圈上，由高頻電磁場(chǎng)感應(yīng)加熱至紅，石墨筒的輻射熱使生產(chǎn)出來(lái)的晶體的熱損失減少，使其處于比較均勻的溫度場(chǎng)中，從而達(dá)到保溫的石墨圓筒的上端必須與熔區(qū)的下界面相平或略高，是降低位錯(cuò)密度的關(guān)鍵。若低于結(jié)晶界簡(jiǎn)2~3mm將使位錯(cuò)密度上升至每平方厘米幾萬(wàn)數(shù)量級(jí)，若在結(jié)晶界面之下iomm左右，將使單晶產(chǎn)生大量缺陷而接近多晶狀態(tài)。石墨筒和結(jié)晶界面的相對(duì)位置，主要決定于下反線圈距主線圈的距離，而石墨簡(jiǎn)的上端必須與下反線固相平或高出石墨保溫筒的溫度要適宜，不宜太暗，也不宜太亮。若溫度過(guò)高使單晶表面熔化或產(chǎn)生滑移線。

石墨保溫筒的熱區(qū)有一定長(zhǎng)度，并從上至下有一定梯度，故在下反線圈之下適當(dāng)位置繞一較大的線圈進(jìn)行輔助加熱。石墨簡(jiǎn)發(fā)紅的情況，決定于它與下反線圈的相對(duì)位置，越向上越紅，越靠下越暗。石墨保溫筒和線圈接觸處，由于線圈內(nèi)冷卻水的作用可能使之變暗，故應(yīng)使線圈很少幾點(diǎn)接觸石墨。在線圈拐彎處由于磁力線密度很大，使石墨在該處特亮，應(yīng)在該處石墨上鋸口，使亮點(diǎn)消失。用石墨簡(jiǎn)保溫的方法雖然對(duì)穩(wěn)定生產(chǎn)較低位錯(cuò)密度的區(qū)熔單晶時(shí)比較方便，對(duì)單晶電阻率沒(méi)有帶來(lái)可察覺(jué)的影響。但是，應(yīng)注意研究石墨簡(jiǎn)的放置方式，嚴(yán)格處理和正確使用石墨保溫筒來(lái)避免其他不良影響。

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