其他器件制造用的高純石墨部件

說到器件和集成電路一般以硅器件（各種記憶單元、MPU)為代表，但是也有化合物半導(dǎo)體器件和LCD(液晶)。這類器件的制造裝置也大多使用高純石墨部件。下面僅介紹其中一部分。

（1）化合物半導(dǎo)體器件。最常見的化合物半導(dǎo)體器件有發(fā)光二極管和半導(dǎo)體激光。圖所示為發(fā)光二極管的制造工藝。

這里所使用的石墨制品有制作（化合物）單品棒時加熱用的加熱器和坩塌，以及外延生長置藝用的工裝。工業(yè)上所使用的外延生長法有液相外延法（LPE）和有機金屬CVD(MOCVD)法。圖2-37所示的是LPE法。LPE法的工藝為把化合物單晶片置于石墨滑板上，使熔融的同成分化合物（元素配合比不同）單晶片逐層成長，熔融物的容器也用石墨材料。工藝過程中若有金屬成分混入，將阻礙二極管/激光的發(fā)光，所以必須使用高純石墨部件。

(2）液晶。當(dāng)今，液晶制品已成為電子顯示技術(shù)所不可或缺的器件，今后，其使用范圍還會不斷擴大。液晶器件的制造使用玻璃基板，由于在基板上形成回路的方法與硅器件基本相同，其工藝過程也大量地使用炭素制品，由于版面所限不再詳述，但其大有作為。

（3）液晶制造玻璃基板熱處理用的石墨板。在對液晶顯示裝置用的玻璃基板進行緩冷處理時，使用內(nèi)埋金屬加熱器的石墨板。為了防止石墨粉黏附在玻璃上，一般使用玻璃炭涂層石墨。另外，由于玻璃基板的平面度極為重要，要求石墨板自身的平面度要好。玻璃金屬封

接用石墨板如圖2-38所示。

（4）TFT型液晶顯示用離子注入裝置部件。作為液晶顯示方式的一種，TFT方式是在Si薄膜上形成多個晶體管，但是需要添加摻雜物質(zhì)的As或P。其做法與硅半導(dǎo)體同樣也用離子注入法，部分裝置也使用高純石墨部件。由于離子束的沖擊以及防止晶體管器件內(nèi)混入摻雜物質(zhì)以外的不純物，也需要使用高純石墨。

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